单晶硅晶片的氧化膜耐压的评价方法技术

提供单晶硅晶片的氧化膜耐压的评价方法，该评价方法可简便且精度良好地评价从极低氧、氮掺杂单晶硅锭切出的单晶硅晶片的氧化膜耐压的好坏。对从极低氧、氮掺杂单晶硅锭采集的晶片状试样或纵切试样的表面实施铜装饰处理和随后的Wright蚀刻处理或Secco蚀刻处理。然后，观察所述表面，基于所述表面上显现的缺陷的有无和存在区域，评价从所述单晶硅锭切出的单晶硅晶片的氧化膜耐压的好坏。

【技术实现步骤摘要】
单晶硅晶片的氧化膜耐压的评价方法
本专利技术涉及从极低氧、氮掺杂单晶硅锭切出的单晶硅晶片的氧化膜耐压的评价方法。
技术介绍
作为单晶硅锭的代表性的制备方法，可列举出切克劳斯基法(CZ法)。对于用CZ法培育的单晶硅锭，已知取决于提拉速度V与固液界面处温度梯度G之比V/G，会产生在器件制作工序中能够成为问题的各种原生缺陷(Grown-indefect)。参照图1，在V/G大的条件下，单晶硅锭由检测到COP(晶体源生颗粒，CrystalOriginatedParticle)的结晶区域即COP产生区域11支配。该COP产生区域11是空位(Vacancy)占优势的区域，也被称为V区域。即，COP是作为空位的聚集体的微小空隙(void)缺陷。在V/G大的条件下，COP产生区域11存在于锭的直径方向的整个区域，随着V/G变小，缩小至锭的中心轴附近。在V/G小的条件下，单晶硅锭由检测到位错簇的结晶区域即位错簇区域15支配。该位错簇区域15是填隙硅(InterstitialSilicon)占优势的区域，也被称为I区域。即，位错簇是作为过剩的填隙硅本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.单晶硅晶片的氧化膜耐压的评价方法，其特征在于，具有：/n准备具有6×10

【技术特征摘要】
20191220 JP 2019-2304241.单晶硅晶片的氧化膜耐压的评价方法，其特征在于，具有：
准备具有6×1017个原子/cm3以下的氧浓度和1×1013个原子/cm3以上的氮浓度的单晶硅锭的工序；
从所述单晶硅锭采集具有与该单晶硅锭的中心轴垂直且包含该单晶硅锭的直径的表面的晶片状试样，或采集具有包含该单晶硅锭的中心轴和直径的表面的纵切试样的工序；
对所述晶片状试样的表面或所述纵切试样的表面实施铜装饰处理和随后的Wright蚀刻处理或Secco蚀刻处理的工序；和
然后，观察所述表面，基于所述表面上显现的缺陷的有无和存在区域，评价从所述单晶硅锭切出的单晶硅晶片的氧化膜耐压的好坏的工序。


2.根据权利要求1所述的单晶硅晶片的氧化膜耐压的评价方法，其中：
在所述晶片状试样表面不存在所述显现的缺陷的情况、和只在距所述晶片状试样表面中心规定距离r1以下的中心区域内存在所述显现的缺陷的情况下，将该晶片状试样的氧化膜耐压评价为良，
在所述显现的缺陷存在到所述晶片状试样表面的所述中心区域的外侧的情况下，将该晶片状试样的氧化膜耐压评价为不良。


3.根据权利要求1所述的单晶硅晶片的氧化膜耐压的评价方法，其中：
关于所述纵切试样表面上的从...

【专利技术属性】
技术研发人员：铃木洋二，
申请(专利权)人：胜高股份有限公司，
类型：发明
国别省市：日本;JP