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本发明提供一种半导体制造方法，在单个半导体外延沉积过程中在同一平面内生长不同层厚度量子阱，包括如下步骤：进行第一次层外延，以生长基本的外延层结构，基本的外延层结构包括衬底、一个牺牲层和一个桥接层，牺牲层位于衬底和桥接层之间；通过光刻和蚀刻形...
该专利属于桂林雷光科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过桂林雷光科技有限公司授权不得商用。

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