专利查询
首页
专利评估
登录
注册
当前位置:
首页
>
专利查询
>
长鑫存储技术有限公司
>
半导体结构的制造方法及半导体结构技术
>技术资料下载
下载半导体结构的制造方法及半导体结构的技术资料
文档序号:28945846
温馨提示:您尚未登录,请点
登陆
后下载,如果您还没有账户请点
注册
,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。
本发明实施例提供一种半导体结构的制造方法及半导体结构,制造方法包括:提供基底,在基底上形成在第一方向上延伸的位线以及位于相邻位线之间的沟槽;形成填充沟槽的介质层和接触层,介质层与接触层在第一方向上间隔设置,且介质层和接触层均与基底接触,接触...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。
详细技术文档下载地址
温馨提示:您尚未登录,请点
登陆
后下载,如果您还没有账户请点
注册
,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。