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本发明提供内置偏光片的制备方法及偏光片，采用负性光阻搭配接触式曝光图案化制备出光阻柱，再采用钢材料作为金属掩膜板，沉积第二金属材料后，利用选择性腐蚀剂去除金属掩膜板，制备出200nm线宽的金属线栅层作为内置偏光。相较于现有技术中的纳米压印等...
该专利属于深圳市华星光电半导体显示技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳市华星光电半导体显示技术有限公司授权不得商用。

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