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本发明提供了一种CMOS集成器件的制造方法，应用于半导体技术领域。在本发明提供的CMOS集成器件的制造方法中，通过采用改良后的第一CMOS器件区中的低阈值电压PMOS管的晕环离子注入光罩，在打开第一CMOS器件区中低阈值电压PMOS管所在区...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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