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该半导体装置包括：半导体基板；沟道层，形成在半导体基板上；势垒层，形成在沟道层上；栅电极，经由栅极绝缘膜设置在势垒层上；源电极和漏电极，设置在沟道层上且栅电极介于源电极与漏电极之间；基板开口，设置成贯通沟道层以暴露半导体基板；绝缘膜，在基板...
该专利属于索尼半导体解决方案公司所有，仅供学习研究参考，未经过索尼半导体解决方案公司授权不得商用。

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