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本发明涉及半导体装置。提供小面积且具有充分的电容的非易失性存储器。构成非易失性存储器的半导体装置具有：第一导电型的半导体部；第二导电型的第一阱，其与第一导电型相反极性，形成为从半导体部的1个面内的第一区域朝向内部延伸；第二导电型的第二阱，其...
该专利属于拉碧斯半导体株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过拉碧斯半导体株式会社授权不得商用。

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