【技术实现步骤摘要】
半导体装置
[0001]本专利技术涉及半导体装置。
技术介绍
[0002]作为非易失性的存储装置，公知有通过使电绝缘的浮游电极层亦即浮置栅极内的电荷的积蓄状态变化来进行数据的存储和擦除的非易失性存储器。作为该非易失性存储器的结构，一般是将构成浮置栅极的多晶硅层和构成控制栅极的多晶硅层重叠配置的所谓堆叠型的结构。
[0003]另一方面，公知有与堆叠型的非易失性存储器不同且使用单层的多晶硅而构成的单层多晶硅型的非易失性存储器(例如，专利文献1)。在单层多晶硅型的非易失性存储器中，例如作为控制栅极发挥功能的第一阱区域、作为读出栅极发挥功能的第二阱区域、以及作为隧道栅极发挥功能的第三阱区域设置在半导体基板的表层部附近。在基板上，以在从第一阱区域到第三阱区域的范围内交叠的方式，形成由栅极绝缘膜和单层的多晶硅构成的浮置栅极。
[0004]在第一阱区域、第二阱区域和第三阱区域各自的夹着栅极绝缘膜而与浮置栅极对置的部分，形成有与浮置栅极、读出栅极和隧道栅极对应的电容器。而且，通过对控制栅极、读出栅极和隧道栅极分别施加电压，并...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，构成非易失性存储器，其特征在于，具有：第一导电型的半导体部；第二导电型的第一阱，其与所述第一导电型相反极性，形成为从所述半导体部的1个面内的第一区域朝向内部延伸；所述第二导电型的第二阱，其形成为从所述第一区域分离而从所述半导体部的所述1个面内的第二区域朝向内部延伸；绝缘膜，其形成在所述1个面上；以及导电层，其形成为跨越所述绝缘膜上的所述第一阱的上方的区域和所述第二阱的上方的区域而延伸，在所述第一阱形成有从所述1个面向所述第一阱内伸长的沟槽，所述绝缘膜在所述沟槽的内部的表面上延伸，在所述沟槽的内部的所述绝缘膜上设置有与所述导电层连续地形成的导电部。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体部在所述第一阱与所述第二阱之间的区域，构成所述第一导电型的第三阱，所述第一导电型的第三阱从所述半导体部的所述1个面朝向内部延伸。3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，在所述第一阱形成有从所述1个面朝向所述第一阱的内部延伸的所述第二导电型的第一扩散层，在所述第二阱形成有从所述1个面朝向所述第二阱的内部延伸的所述第二导电型的第...
【专利技术属性】
技术研发人员：前田贯太，
申请(专利权)人：拉碧斯半导体株式会社，
类型：发明
国别省市：
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