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本实用新型公开一种垂直结构MOS半导体器件，包括：位于硅片下表面的重掺杂N型漏极区和位于硅片上表面的中掺杂P型基极区；所述沟槽内下部具有第二N型源极部，此沟槽内上部具有栅极部，所述栅极部与沟槽之间填充有第一氧化硅层，所述第二N型源极部与沟槽...
该专利属于苏州硅能半导体科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州硅能半导体科技股份有限公司授权不得商用。

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