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本发明公开了一种半导体封装体用晶圆级保护封盖及其制作方法,半导体封装体用晶圆级保护封盖及其制作方法包括:封盖、凸块和挡板,凸块位于挡板的下端两侧,通过凸块将挡板安装在封盖上,封盖上设置有与凸块相匹配的凹槽,使得凸块与凹槽紧密的贴合在一起,从...该专利属于上海贸迎新能源科技有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过上海贸迎新能源科技有限公司授权不得商用。
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本发明公开了一种半导体封装体用晶圆级保护封盖及其制作方法,半导体封装体用晶圆级保护封盖及其制作方法包括:封盖、凸块和挡板,凸块位于挡板的下端两侧,通过凸块将挡板安装在封盖上,封盖上设置有与凸块相匹配的凹槽,使得凸块与凹槽紧密的贴合在一起,从...