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所描述实例包含包括在半导体晶片(108)的背侧上形成扩散势垒层的工艺。所述工艺还包含在所述扩散势垒层(108)上形成晶种铜层。所述工艺还包含在所述晶种铜层(112)上形成铜层。所述工艺还包含在所述铜层(118)上浸渍镀敷银层。...
该专利属于德州仪器公司所有，仅供学习研究参考，未经过德州仪器公司授权不得商用。

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