【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于热管理的镀敷本专利技术大体上涉及热管理，且特定来说，涉及用于热管理的镀敷的实例。
技术介绍
在电子封装中，热管理是封装设计的重要方面，并且其考虑与装置在高温下的退化相关联的问题。随着紧凑且更高度集成的系统不断趋向于具有更小特征及更高电流，热管理变得更重要。传导是从封装或装置进行热传递的方法中的一者，其中热量通过固体介质传递。用于装置及衬底的材料的选择会影响装置将所产生热量传导出去的能力。为快速传递热量，可使用例如铜、铝或铜及铝合金的散热器。铜是比铝更好的电及热导体。然而，铜会氧化。在铜上形成氧化物会降低其热导率。另外，在背侧镀铜后长期存储装置可能因腐蚀而减小镀铜厚度。氧化铜对铜的粘附力也很弱。如果氧化铜分离，那么其可将氧化物下面的铜暴露于空气，并且形成额外氧化物层。在铜上涂覆一层薄锡可保护铜表面不受腐蚀，并允许在安装前长时间存储装置。然而，锡的使用也有相关缺点。浸渍锡化学物质含有一种致癌的硫脲。镀锡可产生造成污染及短路问题的晶须。锡不能很好地用于多个回流/组装工艺。锡可严重侵蚀焊料掩模。随着时间的推移，锡与铜形成金属间化合物，其导致纯...
【技术保护点】
1.一种工艺，其包括：/n在半导体晶片的背侧形成扩散势垒层；/n在所述扩散势垒层上形成晶种铜层；/n在所述晶种铜层上形成铜层；及/n在所述铜层上浸渍镀敷银层。/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20181116 US 16/193,0891.一种工艺，其包括：
在半导体晶片的背侧形成扩散势垒层；
在所述扩散势垒层上形成晶种铜层；
在所述晶种铜层上形成铜层；及
在所述铜层上浸渍镀敷银层。
2.根据权利要求1所述的工艺，其中所述扩散势垒层是钛钨层。
3.根据权利要求1所述的工艺，其中所述背侧与作用侧相对，并且作用组件形成在所述作用侧中。
4.根据权利要求3所述的工艺，其进一步包括在所述半导体晶片的所述作用侧上形成聚合物层。
5.根据权利要求1所述的工艺，其中所述浸渍镀敷是在包含有机可焊性防腐剂的浸渍溶液中。
6.根据权利要求1所述的工艺，其中所述形成晶种铜层是溅镀所述晶种铜层。
7.根据权利要求1所述的工艺，其中所述形成铜层是镀敷所述铜层。
8.根据权利要求1所述的工艺，其进一步包含：
图案化所述铜层、所述晶种铜层及所述扩散势垒层；及
切割所述半导体晶片。
9.一种半导体装置，其包括：
扩散势垒层，其在半导体裸片的背侧上；
晶种铜层，其在所述扩散势垒层上；
铜层，其在所述晶种铜层上；
银层，其通过在所述铜层上浸渍镀敷而形成；及
囊封剂，其囊封除所述银层之外的所述半导体裸片。
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【专利技术属性】
技术研发人员：N·戴德万德，C·D·马纳克，S·F·帕沃内，
申请(专利权)人：德州仪器公司，
类型：发明
国别省市：美国;US
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