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本发明公开了一种忆阻耦合Hindmarsh‑Rose神经元电路，应用于神经元电路设计技术领域，包括分数阶磁通控制的理想忆阻器、分数阶双曲型忆阻器和分数阶阈值忆阻器；分数阶磁通控制的理想忆阻器和分数阶双曲型忆阻器分别引入到二维Hindmars...
该专利属于安徽大学所有，仅供学习研究参考，未经过安徽大学授权不得商用。

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