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本发明涉及一种具有可控体相和表面氧空位的三氧化钨光电极及其制备并协同调控体相和表面氧空位的方法。采用两步氢火焰高温快速焙烧法可实现在金属W基底原位生长具有高结晶度的WO...
该专利属于中国科学院大连化学物理研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院大连化学物理研究所授权不得商用。

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