一种具有可控氧空位分布的三氧化钨电极及制备和应用制造技术

本发明专利技术涉及一种具有可控体相和表面氧空位的三氧化钨光电极及其制备并协同调控体相和表面氧空位的方法。采用两步氢火焰高温快速焙烧法可实现在金属W基底原位生长具有高结晶度的WO

【技术实现步骤摘要】
一种具有可控氧空位分布的三氧化钨电极及制备和应用
本专利技术涉及太阳能(光)电催化研究中一种具有可控体相和表面氧空位的三氧化钨光电极及制备并协同调控体相和表面氧空位的方法。
技术介绍
氧空位作为金属氧化物的一种本征缺陷，其浓度对于金属氧化物的诸多物理化学性质(导电性、表面催化性能等)具有重要的影响，因此氧空位的引入和调控在众多领域(光电催化、电催化、光催化等)得到了广泛的关注。目前氧空位的引入和调控方法主要有气相还原法、液相还原法以及电化学还原法等。气相还原法是将预先制备好的金属氧化物电极，用高纯的氢气等还原性的气体进行热处理，通过改变热处理温度和时间调控氧化物电极中氧空位的浓度(NanoLett.2011,11,3026-3033)。液相还原法则是将预先制备好的金属氧化物电极浸泡在含有LEDA等化学还原剂的溶液中，从而改变氧空位的浓度(AngewandteChemie-InternationalEdition2016,55,11819-11823)。电化学还原法则是对氧化物电极施加负偏压，从而实现氧空位的引入和调控(J.Mater.Chem.本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种具有可控氧空位分布的三氧化钨电极，其特征在于，所述三氧化钨电极包括钨金属基底和附着于基底表面的三氧化钨活性层，三氧化钨活性层的钨的价态为正五到正六，活性层的表面和体相均含有可控的氧空位分布。/n

【技术特征摘要】
1.一种具有可控氧空位分布的三氧化钨电极，其特征在于，所述三氧化钨电极包括钨金属基底和附着于基底表面的三氧化钨活性层，三氧化钨活性层的钨的价态为正五到正六，活性层的表面和体相均含有可控的氧空位分布。


2.根据权利要求1所述的具有可控氧空位分布的三氧化钨电极，其特征在于，所述三氧化钨活性层的表面和体相含有氧空位；优选地，所述活性层体相氧空位浓度为2×1019-1×1022cm-3，表面氧空位浓度为0-2.1×1021cm-3。


3.一种权利要求1或2所述的具有可控氧空位分布的三氧化钨电极的制备方法，其特征在于，电极由氢火焰法制备，所述方法至少包括以下两步：以金属钨片作为前驱，采用氢火焰进行第一步高温焙烧，冷却，再进行第二次氢火焰焙烧，即可获得所述具有可控氧空位分布的三氧化钨电极。


4.如权利要求3所...

【专利技术属性】
技术研发人员：李灿，邵晨熠，宗旭，
申请(专利权)人：中国科学院大连化学物理研究所，
类型：发明
国别省市：辽宁;21