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一种低静态功耗抗单粒子翻转的静态随机存取存储器，解决了现有SRAM存储器静态功耗较高及易受到单粒子翻转的影响的问题，属于集成电路技术领域。本实用新型采用12个晶体管，其中PMOS晶体管P1～P4和NMOS晶体管N1～N2为上拉晶体管，NMO...
该专利属于杨霆所有，仅供学习研究参考，未经过杨霆授权不得商用。

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