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本发明涉及一种增强THz辐射的变周期超晶格结构及其制备方法，解决的是制备的材料电阻率和迁移率低下太赫兹辐射低的技术问题，通过采用包括重叠设置的半绝缘InP衬底、InP缓冲层、超晶格有源层；超晶格有源层由(GaAs)...
该专利属于广西师范大学所有，仅供学习研究参考，未经过广西师范大学授权不得商用。

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