一种增强THz辐射的变周期超晶格结构及其制备方法技术

本发明专利技术涉及一种增强THz辐射的变周期超晶格结构及其制备方法，解决的是制备的材料电阻率和迁移率低下太赫兹辐射低的技术问题，通过采用包括重叠设置的半绝缘InP衬底、InP缓冲层、超晶格有源层；超晶格有源层由(GaAs)

【技术实现步骤摘要】
一种增强THz辐射的变周期超晶格结构及其制备方法
本专利技术涉及太赫兹光电导天线材料领域，具体涉及一种增强THz辐射的变周期超晶格结构及其制备方法。
技术介绍
太赫兹(THz)波的工作频率位于电子学和光子学的交叉区域，其性质表现出一系列不同于其它电磁波辐射的特殊性，具有低能性和高穿透性等特点。这使得它在物理、化学、天文、生命科学和医学等基础研究领域有着巨大的科学研究价值，在医学成像、环境监测、食品检验、安全检查、卫星通信、电子对抗、电磁武器和武器制导等应用研究领域有着非常广阔的应用前景。THz技术发展的关键之一是研发高功率、便携式、频率连续可调、成本较低的太赫兹辐射源。基于飞秒激光器辐照低温生长GaAs光电导天线产生的THz辐射源具有能在室温下工作、结构简单和频带较宽等优点，脉冲功率可达毫瓦量级，在THz时域光谱和成像等方面具有极高的应用价值。在实际应用中，LTGGaAs光电导天线采用800nm钛蓝宝石飞秒激光器做泵浦源，其价格非常昂贵、集成度和便携度都不高。近些年，这种情况随着1.55μm光纤飞秒激光器的快速发展正在发生重大改变。最近的研究表本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种增强THz辐射的变周期超晶格结构，其特征在于：所述增强THz辐射的变周期超晶格结构包括重叠设置的半绝缘InP衬底、InP缓冲层、超晶格有源层；/n超晶格有源层由(GaAs)

【技术特征摘要】
1.一种增强THz辐射的变周期超晶格结构，其特征在于：所述增强THz辐射的变周期超晶格结构包括重叠设置的半绝缘InP衬底、InP缓冲层、超晶格有源层；
超晶格有源层由(GaAs)n/(InAs)m晶格层和(GaAs)m/(InAs)应力补偿层构成，其中，m和n表示的是生长材料的ML层数。


2.根据权利要求1所述的增强THz辐射的变周期超晶格结构，其特征在于：所述InP缓冲层厚度为200nm至400nm，超晶格有源层厚度为1±0.1um。


3.根据权利要求1所述的增强THz辐射的变周期超晶格结构，其特征在于：所述InP缓冲层厚度为300nm。


4.根据权利要求1所述的增强THz辐射的变周期超晶格结构，其特征在于：所述超晶格有源层厚度为1um。


5.一种增强THz辐射的变周期超晶格结构的制备方法，其特征在于：所述制备方法用于制备权利要求1-4任一所述的增强THz辐射的变周期超晶格结构，制备方法包括：
步骤一，将半绝缘衬底InP(100)衬底放在分子束外延设备生长室衬底加热器上，在P保护下升温至490℃～510℃，脱掉表面氧化层，然后降低温度到370℃～400℃，生长InP缓冲层；
步骤二，生长InP缓冲层之后，接着降温至200℃～250℃生长(GaAs)n/(InAs)m超晶格和应力补偿层(GaAs)m/(InAs)n，重复共i次，i为预设的重复周期次数...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘林生，李锡铭，李联合，刘乐福，宋树祥，解文豪，苗腾，董鹏堂，
申请(专利权)人：广西师范大学，
类型：发明
国别省市：广西;45