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本发明属于存储器技术领域，主要涉及一种磁电阻器件以及改变其阻态的方法、突触学习模块；其中，该磁电阻器件，包括沿预设方向依次排列的顶电极、铁磁参考层、隧穿层、铁磁自由层、自旋轨道耦合层、底电极；其中自旋轨道耦合层包括交替分布的第一厚度区和第二...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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