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本发明提供一种嵌入式LED芯片及其制备方法,该LED芯片包括:导电衬底、第一键合金属层、第二键合金属层、功能层、柱状P电极和柱状N电极;所述导电衬底、所述第一键合金属层、所述第二键合金属层和所述功能层按照从下向上的顺序依次排布;所述柱状P电...该专利属于广州市艾佛光通科技有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过广州市艾佛光通科技有限公司授权不得商用。
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本发明提供一种嵌入式LED芯片及其制备方法,该LED芯片包括:导电衬底、第一键合金属层、第二键合金属层、功能层、柱状P电极和柱状N电极;所述导电衬底、所述第一键合金属层、所述第二键合金属层和所述功能层按照从下向上的顺序依次排布;所述柱状P电...