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本发明公开了一种超结器件，超结器件各原胞形成于对应的超结单元上，包括：沟道区和平面栅，栅漏电容为由平面栅对顶部漂移区和底部的第一导电类型柱进行纵向耗尽形成的电容。超结单元中，第二导电类型柱会对第一导电类型柱进行横向耗尽，在保持超结单元的电荷...
该专利属于南通尚阳通集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过南通尚阳通集成电路有限公司授权不得商用。

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