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本发明公开了半导体器件及其制备方法，包括衬底、多层半导体层、介质层、源极、栅极和漏极，多层半导体层中形成有栅极沟槽第一分部，介质层中形成有栅极沟槽第二分部；栅极沟槽第二分部中，第一侧壁和/或第二侧壁形成有至少一级台阶结构；栅极包括栅极第一分...
该专利属于苏州能讯高能半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州能讯高能半导体有限公司授权不得商用。

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