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本申请涉及晶圆级测试领域,具体涉及用于晶圆级测试的芯片和晶圆。其中,用于晶圆级测试的芯片,用于晶圆级测试的芯片包括:半导体衬底,半导体衬底包括相对的正面和和背面;半导体器件有源区,半导体器件有源区形成于半导体衬底的正面;互连层,互连层形成于...该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。
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本申请涉及晶圆级测试领域,具体涉及用于晶圆级测试的芯片和晶圆。其中,用于晶圆级测试的芯片,用于晶圆级测试的芯片包括:半导体衬底,半导体衬底包括相对的正面和和背面;半导体器件有源区,半导体器件有源区形成于半导体衬底的正面;互连层,互连层形成于...