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一种集成电路(IC)器件结构，包括：主芯片，具有器件层和在器件层的相邻第一和第二区域之上的一个或多个第一金属化层级。第一金属化层级互连到器件层。互连芯粒在第一区域内的第一金属化层级之上。互连芯粒包括多个第二金属化层级，以及多个第三金属化层级...
该专利属于英特尔公司所有，仅供学习研究参考，未经过英特尔公司授权不得商用。

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