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本发明属于材料制备领域，具体涉及一种大面积二硫化钼薄膜的制备方法,该方法是采用限域空间法，并结合磁控溅射法和化学气相沉积法，通过优化反应参数，得到大面积MoS...
该专利属于南昌大学所有，仅供学习研究参考，未经过南昌大学授权不得商用。

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