一种大面积二硫化钼薄膜的制备方法技术

本发明专利技术属于材料制备领域，具体涉及一种大面积二硫化钼薄膜的制备方法,该方法是采用限域空间法，并结合磁控溅射法和化学气相沉积法，通过优化反应参数，得到大面积MoS

【技术实现步骤摘要】
一种大面积二硫化钼薄膜的制备方法
本专利技术属于材料制备领域，具体涉及一种大面积二硫化钼薄膜的制备方法。
技术介绍
二维材料是一类具有单/多原子厚度的片层状材料，具有优异的物理、化学、光学、电子、机械等性能，在很多领域有着很大的应用前景。其中类石墨烯二硫化钼引起了众多领域研究人员的广泛关注。MoS2晶体主要具有六方晶系和三方晶系这两种晶系，其中，六方晶系又称为2H相，也是最稳定的结构，由2个单层的MoS2周期堆积而成，属于P63/mmc空间群。三方晶系有1T(空间群P3m1)与3R相(空间群R3m)两种相：他们分别由1个和3个单层的MoS2堆积组成。多层MoS2由若干单层MoS2组成，层与层之间都由范德华力结合在一起，层间距约为0.65nm。与石墨烯不同的是，MoS2的带隙随着厚度的变化而不同。单层MoS2的能带隙由于量子限域效应达到1.9ev，电子跃迁方式为直接带隙，而块体能带隙为1.29ev。因此，MoS2薄膜独特的结构、优异的物理性能、带隙可调性、以及相对较高的载流子迁移率使其在光电领域具有很大的潜力。MoS2常见的制备方法有物理本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种大面积二硫化钼薄膜的制备方法，其特征在于：所述制备方法是采用限域空间法，以磁控溅射法和化学气相沉积结合的方法，以金属Mo源和S粉为前驱体源，制备大面积的优质二硫化钼薄膜。/n

【技术特征摘要】
1.一种大面积二硫化钼薄膜的制备方法，其特征在于：所述制备方法是采用限域空间法，以磁控溅射法和化学气相沉积结合的方法，以金属Mo源和S粉为前驱体源，制备大面积的优质二硫化钼薄膜。


2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述方法包括以下步骤：
(1)先将衬底依次经过丙酮、异丙醇、去离子水超声清洗以去除表面的杂质，后用氮气枪将其表面吹干；
(2)将洗干净的衬底放置在磁控溅射系统的溅射区域，并将高纯钼靶放置于磁控溅射机中的溅射靶位，在不高于1.0×10-3Pa的真空度下，采用恒流源溅射；
(3)将得到的含有金属钼源的衬底放置管式炉内暴露于空气中加热进行充分氧化，氧化温度为250℃，处理时间不低于120min；
(4)将氧化钼源的衬底正面朝上放入石英舟底，紧挨着此衬底的气流下游位置叠放2-4片，最上片放置面积较大的衬底作为MoS2的沉积衬底，并向上游延伸与镀有氧化钼源的衬底形成间隙夹层，另一个石英舟装纯度>99.99％的硫粉，...

【专利技术属性】
技术研发人员：廖霞霞，周子皓，杨子凡，周杨波，
申请(专利权)人：南昌大学，
类型：发明
国别省市：江西;36