温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种碳化硅薄壁结构件的制备方法，包括以下步骤：S1、利用石墨基材制作模具；S2、采用化学气相沉积法在石墨基材表面生长碳化硅；S3、从工件的边缘处切割碳化硅包裹部分使内部的石墨基材重新裸露出来；S4、将工件中的石墨基材完全与氧气进...
该专利属于中国电子科技集团公司第四十八研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第四十八研究所授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。