一种碳化硅薄壁结构件的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种碳化硅薄壁结构件的制备方法，包括以下步骤：S1、利用石墨基材制作模具；S2、采用化学气相沉积法在石墨基材表面生长碳化硅；S3、从工件的边缘处切割碳化硅包裹部分使内部的石墨基材重新裸露出来；S4、将工件中的石墨基材完全与氧气进行反应，获得固体碳化硅工件。本发明专利技术具有碳化硅薄壁结构件具有较高的纯度，有利于避免高温、污染、氧化、腐蚀等问题，有助于提高设备工艺能力和稳定性的优点。

【技术实现步骤摘要】
一种碳化硅薄壁结构件的制备方法
本专利技术涉及半导体装备内部涂层的制备方法，尤其涉及一种碳化硅薄壁结构件的制备方法。
技术介绍
目前，在半导体装备领域中，设备反应腔内部由于存在各种腐蚀性化学气氛、高温、电离、颗粒沉积等环境，为了提高设备工艺能力和工艺稳定性，214LD石英件、反应式烧结碳化硅陶瓷及碳化硅涂层石墨是通常应用于设备反应腔内部的选择材料。由于一些设备反应腔体内部温度需要达到甚至超过1300℃，传统的214LD半导体级别石英件会在高温下发生软化，达不到使用要求；反应式烧结碳化硅陶瓷是一种采用碳化硅粉末和其他粘结剂等添加剂材料混合烧结而成，材料的金属杂质含量难以控制，容易对高精度的半导体器件产生污染，导致良率出现问题；碳化硅涂层石墨纯度高，耐高温腐蚀性能好，但在升温、降温的冲击之下，涂层容易出现脱落，导致设备工艺不稳定。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是克服现有技术的不足，提供一种结构件具有较高的纯度，有利于避免高温、污染、氧化、腐蚀等问题，有助于提高设备工艺能力和稳定性的碳化硅薄壁结构件的制备方法。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种碳化硅薄壁结构件的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：/nS1、利用石墨基材制作模具；/nS2、采用化学气相沉积法在石墨基材表面生长碳化硅；/nS3、从工件的边缘处切割碳化硅包裹部分使内部的石墨基材重新裸露出来；/nS4、将工件中的石墨基材完全与氧气进行反应，获得固体碳化硅工件。/n

【技术特征摘要】
1.一种碳化硅薄壁结构件的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：
S1、利用石墨基材制作模具；
S2、采用化学气相沉积法在石墨基材表面生长碳化硅；
S3、从工件的边缘处切割碳化硅包裹部分使内部的石墨基材重新裸露出来；
S4、将工件中的石墨基材完全与氧气进行反应，获得固体碳化硅工件。


2.根据权利要求1所述的碳化硅薄壁结构件的制备方法，其特征在于：S2的详细步骤为：
S2.1、将石墨基材放入化学气相沉积设备内，并将化学气相沉积设备抽真空及置换气体；
S2.2、通入氮气，进行预热升温至600～800℃，升温速率1～15℃/min；
S2.3、通入氮气和氢气，继续升温至1400～1600℃，升温速率1～10℃/min；
S2.4、待温场稳定之后，开始通入原料气体、氢气和氩气，以10～200μm/h速率生进行生长。


3.根据权利要求2所述的碳化硅薄壁结构件的制备方法，其特征在于：S2的详细步骤还包括：
S2.5、待碳化硅厚度生长200～500μm时，降温，将工件旋转和/或倒置；
S2.6、重复步骤S2....

【专利技术属性】
技术研发人员：杨金，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第四十八研究所，
类型：发明
国别省市：湖南;43