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一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，基底内形成有相邻接的阱区和漂移区；在漂移区中形成沟槽；在沟槽中形成扩散阻挡层；形成扩散阻挡层后，在阱区和漂移区交界处的基底上形成栅极结构，栅极结构位于扩散阻挡层靠近阱区的一侧；在栅极结构一...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。