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本发明涉及一种半导体结构及其形成方法。所述半导体结构的形成方法包括如下步骤：形成一基底，所述基底包括衬底以及覆盖于所述衬底表面的介质层，所述介质层表面包括器件区域和标记区域，所述标记区域具有贯穿所述介质层的通孔以及填充于所述通孔内并覆盖于所...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。

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