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一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，基底内形成有导电结构；形成覆盖基底的介质层；在介质层中形成露出导电结构的互连开口，沿介质层的厚度方向上，互连开口包括多个相连通的子开口，互连开口至少包括一组开口组，开口组由相邻的两个子开口...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。