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本发明涉及一种半导体器件及其制备方法，半导体器件的制备方法包括：提供待刻蚀层；于待刻蚀层的表面形成图形化的牺牲层，图形化的牺牲层暴露出部分待刻蚀层的表面；于牺牲层的侧壁形成第一侧墙；去除牺牲层；于第一侧墙的侧壁形成第二侧墙；去除第一侧墙。上...
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