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一种基于模型地校验光刻中的分辨率增强技术（ＲＥＴ）和光学邻近校正（ＯＰＣ）的方法，所述方法包括：将绘制的掩模布局的形状按比例缩放到其相应的预定晶片尺寸，以生成比例图像。根据预定的最大覆盖误差，相对于所述比例图像的第二特征偏移其第一特征。计算...
该专利属于国际商业机器公司所有，仅供学习研究参考，未经过国际商业机器公司授权不得商用。

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