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本发明公开了一种半导体功率器件测试加热台,从上到下依次包括陶瓷层和轻质金属层,所述陶瓷层的厚度不大于5mm;所述轻质金属层的上表面均匀开设有若干条形槽,每个所述的条形槽内设有加热元件和多个温度探头,所述加热元件沿所述条形槽的长度方向埋设,所...该专利属于浙江大学绍兴市科技创业投资有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过浙江大学绍兴市科技创业投资有限公司授权不得商用。
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本发明公开了一种半导体功率器件测试加热台,从上到下依次包括陶瓷层和轻质金属层,所述陶瓷层的厚度不大于5mm;所述轻质金属层的上表面均匀开设有若干条形槽,每个所述的条形槽内设有加热元件和多个温度探头,所述加热元件沿所述条形槽的长度方向埋设,所...