一种半导体功率器件测试加热台制造技术

技术编号:28501452 阅读:28 留言:0更新日期:2021-05-19 22:45
本发明专利技术公开了一种半导体功率器件测试加热台,从上到下依次包括陶瓷层和轻质金属层,所述陶瓷层的厚度不大于5mm;所述轻质金属层的上表面均匀开设有若干条形槽,每个所述的条形槽内设有加热元件和多个温度探头,所述加热元件沿所述条形槽的长度方向埋设,所述温度探头沿所述条形槽的长度方向均匀埋设,所述温度探头与所述陶瓷层的底面接触;所述条形槽内的空隙用填充导热材料进行填充;所述陶瓷层的上方设有用于夹持半导体器件的夹具,使用时在所述半导体器件与所述陶瓷层之间涂上导热材料。本发明专利技术质量较轻,移动方便;温度分布均匀,准确可控,调温快速,有利于半导体器件的准确测试。有利于半导体器件的准确测试。有利于半导体器件的准确测试。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体功率器件测试加热台


[0001]本专利技术涉及一种半导体功率器件测试加热台,属于半导体器件加热设备


技术介绍

[0002]实验室进行半导体器件测试分析时,需要用到加热台进行加热,以营造需要的工作环境,并需精确保持恒温状态。为保证加热台热容足够大,市面上现有的加热台,通常以一块厚重的金属块作为主体。但在实际使用时会出现各位置点加热速度不同、加热不均匀、温度分布差异较大等问题。以上问题的存在会导致半导体功率器件测试过程中环境条件不一致,引起测试结果超出误差范围。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的在于解决上述
技术介绍
的不足之处而提供一种质量较轻、温度分布均匀、快速准确控温及温度传导稳定的半导体功率器件测试加热台。
[0004]为达成上述目的,本专利技术提供如下技术方案:一种半导体功率器件测试加热台,从上到下依次包括陶瓷层和轻质金属层,所述陶瓷层的厚度不大于5mm;
[0005]所述轻质金属层的上表面均匀开设有若干条形槽,每个所述的条形槽内设有加热元件和多个温度探头,所述加热元件沿所述条形槽本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体功率器件测试加热台,其特征在于,从上到下依次包括陶瓷层和轻质金属层,所述陶瓷层的厚度不大于5mm;所述轻质金属层的上表面均匀开设有若干条形槽,每个所述的条形槽内设有加热元件和多个温度探头,所述加热元件沿所述条形槽的长度方向埋设,所述温度探头沿所述条形槽的长度方向均匀埋设,所述温度探头与所述陶瓷层的底面接触;所述条形槽内的空隙用填充导热材料进行填充;所述陶瓷层的上方设有用于夹持半导体器件的夹具,使用时在所述半导体器件与所述陶瓷层之间涂上导热材料。2.根据权利要求1所述的一种半导体功率器件测试加热台,其特征在于,所述陶瓷层的材质为Al2O3陶瓷、SiC陶瓷、AlN陶瓷或TiO2陶瓷。3.根据权利要求1所述的一种半导体功率器件测试加热台,其特征在于,轻质金属层的材质为Al合金、不锈钢或Ti合金。4.根据权利要求1所述的一种半导体功率器件测试加热台,其特征在于,所述加热元件为铁铬铝加热丝或...

【专利技术属性】
技术研发人员:胡建力林氦邓志江
申请(专利权)人:浙江大学绍兴市科技创业投资有限公司
类型:发明
国别省市:

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