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本发明涉及一种提高防静电能力的MOSFET器件及制作方法，包括用于引出栅极的栅极金属和用于引出源极的源极金属，栅极金属和源极金属间设置有ESD保护结构，ESD保护结构包括多个ESD保护沟槽，多个ESD保护沟槽并列排布在栅极PAD区的四周，栅...
该专利属于捷捷微电（无锡）科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过捷捷微电（无锡）科技有限公司授权不得商用。

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