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本发明属于半导体封装技术领域，尤其涉及一种解决铝垫打线异常的方法。该方法具体为：在具有Al/Ti/TiN的膜层结构的半导体器件的封装程序中，先进行当层非结构区域金属膜层的刻蚀，然后进行钝化膜层的沉积，之后对钝化膜层及金属层进行刻蚀，再进行退...
该专利属于苏州工业园区纳米产业技术研究院有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州工业园区纳米产业技术研究院有限公司授权不得商用。

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