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本发明公开一种降低硅基异质外延生长三五族半导体中位错缺陷密度的方法，包括：用PECVD在硅(001)衬底上沉积二氧化硅或氮化硅薄膜作为掩膜层；制作出掩膜图形然后在其上制作出V型槽得到图形化硅衬底；选择性外延生长三五族半导体材料；在完成生长的...
该专利属于中山大学所有，仅供学习研究参考，未经过中山大学授权不得商用。

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