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本发明提供一种晶圆研磨方法，包括以下步骤：晶圆背面清洗步骤：提供一晶圆，清洗所述晶圆背面；晶圆载入步骤：将晶圆载入研磨腔室，并采用真空吸附部件吸附晶圆的背面；晶圆研磨步骤：停止真空吸附部件对晶圆背面的吸附，并采用研磨部件对晶圆的双面进行研磨...
该专利属于上海新昇半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海新昇半导体科技有限公司授权不得商用。

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