一种晶圆研磨方法技术

本发明专利技术提供一种晶圆研磨方法，包括以下步骤：晶圆背面清洗步骤：提供一晶圆，清洗所述晶圆背面；晶圆载入步骤：将晶圆载入研磨腔室，并采用真空吸附部件吸附晶圆的背面；晶圆研磨步骤：停止真空吸附部件对晶圆背面的吸附，并采用研磨部件对晶圆的双面进行研磨；晶圆载出步骤：将晶圆载出研磨腔室。本发明专利技术在晶圆研磨工艺之前增加晶圆背面清洗步骤，通过施加清洗液、毛刷摩擦的物理清洗方式，使得前序工艺残留的切割液和颗粒物更多的从晶圆背面去除，从而有效保持晶圆背面的清洁，避免后续晶圆因真空吸附部件与晶圆背面之间存在残留颗粒物而造成晶圆背面缺陷，从而有效改善研磨工艺的效果和晶圆的品质，提高产品良率。提高产品良率。提高产品良率。

【技术实现步骤摘要】
一种晶圆研磨方法


[0001]本专利技术属于半导体
，涉及一种晶圆研磨方法。

技术介绍

[0002]高纯的晶体硅是良好的半导体材料，经掺杂改性后，能广泛应用于太阳能电池、二极管、三极管、场效应管以及各种集成电路元器件中。随着半导体器件的快速发展，对晶体硅片的要求也是越来越高。传统的硅片加工工艺流程包括：单晶生长、切断、外径滚磨、切片、倒角、研磨、腐蚀、抛光、清洗、包装。在硅片加工过程中会引进微量的金属元素(Fe、Cr、Ni、Cu)、划痕、损伤层及表面污染，会增加元件工作过程中的电子复合，缩短半导体元件的工作寿命，从而影响元件的性能。
[0003]硅片研磨的目的是去除切片加工过程中因切割产生的20
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50μm的表面损伤层，并使硅片具有一定几何尺寸精度的平坦表面。由于硅片在前端的切片脱胶清洗工艺时(通常在纯水槽中清洗)，硅片间含有大量切割液、碳化硅碎屑等残渣颗粒物，这些物质会夹杂在硅片间不能完全被去除，后续在进入到研磨室进行研磨加工时，附着的颗粒物会阻碍硅片背面直接吸附在研磨室的陶瓷板上，并在吸附过程中造成硅片背面的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶圆研磨方法，其特征在于，包括以下步骤：晶圆背面清洗步骤：提供一晶圆，清洗所述晶圆背面；晶圆载入步骤：将所述晶圆载入研磨腔室，并采用真空吸附部件吸附所述晶圆的背面；晶圆研磨步骤：停止所述真空吸附部件对所述晶圆背面的吸附，并采用研磨部件对所述晶圆的双面进行研磨；晶圆载出步骤：在研磨结束后，将所述晶圆载出研磨腔室。2.根据权利要求1所述的晶圆研磨方法，其特征在于：在所述晶圆背面清洗步骤中，施加清洗液于所述晶圆背面，并采用毛刷摩擦所述晶圆背面。3.根据权利要求2所述的晶圆研磨方法，其特征在于：所述清洗液包括纯水、酒精中的一种或多种。4.根据权利要求2所述的晶圆研磨方法，其特征在于：采用喷淋部件施加清洗液于所述晶圆的背面，所述喷淋部件包括喷淋杆，所述喷淋杆的末端设有允许清洗液喷出的开口，在所述晶圆背面清洗步骤中，所述晶圆的背面朝下，所述开口位于所述晶圆下方。5.根据权利要求4所述的晶圆研磨方法，其特征在于：所述喷淋杆以水平伸缩方式运动或者以水平摆动方式运动，以使清洗液按照预设轨迹运动。6.根据权利要求2所述的晶圆研磨方法，其特征在于：所述毛刷以旋转方式摩擦所述晶圆的背面，在所述晶圆背面清洗步骤中，所述晶圆和所述毛刷按相反方向做自转运动。7.根据权利要求2所述的晶圆研磨方法，其特征在于：所述毛刷以旋转方式摩...

【专利技术属性】
技术研发人员：熊伟，
申请(专利权)人：上海新昇半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：