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本发明提供了一种氮化物半导体材料的外延生长方法，包括：S1)在异质衬底上外延生长第一层氮化物半导体材料；S2)在第一层氮化物半导体材料上进行无掩膜湿法刻蚀，得到位错缺陷处形成微坑的第一层氮化物半导体材料，且微坑处裸漏出异质衬底；S3)在位错...
该专利属于中国科学院长春光学精密机械与物理研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院长春光学精密机械与物理研究所授权不得商用。

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