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本发明涉及一种三维存储器及其制作方法，包括：形成外围电路芯片和多个存储阵列芯片，外围电路芯片包括第一衬底和形成于第一衬底上的第一互连层，每个存储阵列芯片包括多个功能结构；将多个存储阵列芯片进行键合，得到存储阵列组合结构；形成多个互连导接柱，...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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