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本发明公开一种半导体元件及其制作方法，该半导体元件主要包含第一主动区、第二主动区以及第三主动区沿着第一方向延伸于一基底上、第一栅极线沿着第二方向延伸并交错第一主动区、第二主动区及第三主动区、第一单扩散隔离结构沿着第二方向延伸并设于第一主动区...
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