半导体元件及其制作方法技术

本发明专利技术公开一种半导体元件及其制作方法，该半导体元件主要包含第一主动区、第二主动区以及第三主动区沿着第一方向延伸于一基底上、第一栅极线沿着第二方向延伸并交错第一主动区、第二主动区及第三主动区、第一单扩散隔离结构沿着第二方向延伸并设于第一主动区的第一栅极线正下方、第二单扩散隔离结构设于第二主动区的第一栅极线正下方以及第三单扩散隔离结构设于第三主动区的第一栅极线正下方。离结构设于第三主动区的第一栅极线正下方。离结构设于第三主动区的第一栅极线正下方。

【技术实现步骤摘要】
半导体元件及其制作方法
[0001]本申请是中国专利技术专利申请(申请号：201810048244.5，申请日：2018年01月18日，专利技术名称：半导体元件及其制作方法)的分案申请。


[0002]本专利技术涉及一种制作半导体元件的方法，尤其是涉及一种于栅极线正下方形成单扩散隔离(single diffusion break,SDB)结构的方法。

技术介绍

[0003]近年来，随着场效晶体管(field effect transistors,FETs)元件尺寸持续地缩小，现有平面式(planar)场效晶体管元件的发展已面临制作工艺上的极限。为了克服制作工艺限制，以非平面(non
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planar)的场效晶体管元件，例如鳍状场效晶体管(fin field effect transistor,Fin FET)元件来取代平面晶体管元件已成为目前的主流发展趋势。由于鳍状场效晶体管元件的立体结构可增加栅极与鳍状结构的接触面积，因此，可进一步增加栅极对于载流子通道区域的控制，从而降低小尺寸元件面临的漏极引发能带降低(drain i本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体元件，其特征在于，包含：第一主动区、第二主动区以及第三主动区沿着第一方向延伸于基底上；第一栅极线，沿着第二方向延伸并交错该第一主动区、该第二主动区以及该第三主动区；以及第一单扩散隔离结构，沿着该第二方向延伸并设于该第一主动区的该第一栅极线正下方。2.如权利要求1所述的半导体元件，另包含浅沟隔离，环绕该第一主动区以及该第二主动区。3.如权利要求2所述的半导体元件，其中该第一单扩散隔离结构设于该浅沟隔离内。4.如权利要求2所述的半导体元件，其中该第一单扩散隔离结构以及该浅沟隔离包含相同材料。5.如权利要求2所述的半导体元件，其中该第一单扩散隔离结构以及该浅沟隔离包含不同材料。6.如权利要求1所述的半导体元件，另包含第二单扩散隔离结构，设于该第二主动区的该第一栅极线正下方。7.如权利要求1所述的半导体...

【专利技术属性】
技术研发人员：林文凯，盛义忠，薛胜元，康智凯，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：