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本发明提供一种三维存储器结构及其制备方法，所述三维存储器结构包括第一半导体层；第二半导体层，设置于所述第一半导体层上；第一支撑结构，所述第一支撑结构贯穿所述第二半导体层，且所述第一支撑结构的位置与底部选择栅切槽和/或顶部选择栅切槽的位置相对...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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