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本公开涉及半导体装置以及半导体集成电路。该半导体装置包括:第一参考电位和第二参考电位,第二参考电位高于第一参考电位;第一电流支路,包括依次耦合在第一参考电位与第二参考电位之间的第一NMOS晶体管和第一PMOS晶体管;以及第二电流支路,包括依...该专利属于杭州晶华微电子股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过杭州晶华微电子股份有限公司授权不得商用。
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本公开涉及半导体装置以及半导体集成电路。该半导体装置包括:第一参考电位和第二参考电位,第二参考电位高于第一参考电位;第一电流支路,包括依次耦合在第一参考电位与第二参考电位之间的第一NMOS晶体管和第一PMOS晶体管;以及第二电流支路,包括依...