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本发明公开了一种三维存储器的制备方法，所述三维存储器包括选择管栅极，所述方法包括以下步骤：提供叠层结构；形成垂直穿过所述叠层结构的沟道结构，所述沟道结构包括存储叠层以及沟道层；去除所述叠层结构中所述选择管栅极的预设形成位置处的第一牺牲层；去...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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