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本发明涉及半导体装置及其形成方法，其中，一种半导体装置，包括基板；集电极，具有设置在基板内的掩埋层，位于该掩埋层的第一部分上方的第一阱区，以及至少部分地设置在该第一阱区内的第一导电区；基极，具有位于掩埋层的第二部分上方并横向邻接该第一阱区的...
该专利属于新加坡商格罗方德半导体私人有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过新加坡商格罗方德半导体私人有限公司授权不得商用。

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