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本发明涉及一种全抛釉、以及具有全抛釉的抛釉砖及其制备方法。所述全抛釉施加于砖体上在烧成温度为1200～1220℃、烧成周期为60～80min的条件下烧成后的釉面层中均匀存在直径在20μm以下的气泡，所述全抛釉的原料配方包括：按质量计，茶晶长...
该专利属于蒙娜丽莎集团股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过蒙娜丽莎集团股份有限公司授权不得商用。

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