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本发明提供了一种ＭＯＳ晶体管射频电路仿真宏模型及其参数提取方法。该仿真宏模型包括一ＭＯＳ晶体管仿真模型，串联在晶体管栅极与电路栅极节点之间的栅电阻Ｒ↓［Ｇ］，分别用于表征源极和衬底以及漏极和衬底之间的结电容和寄生电阻的电容Ｃ↓［ｊｕｎ．ｓ］...
该专利属于上海集成电路研发中心有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海集成电路研发中心有限公司授权不得商用。

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